色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

<strike id="suym8"></strike>

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > SI2315BDS-T1-E3

SI2315BDS-T1-E3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: SOT-23-3（TO-236）
數量：: 8285
說明：: MOSFET 1.8V 3.2A 1.25W

一、本商品被瀏覽0次.

SI2315BDS-T1-E3 PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

零件號別名：SI2315BDS-E3
典型關閉延遲時間：50 ns
商標名：TrenchFET
工廠包裝數量：3000
上升時間：35 ns
功率耗散：750 mW
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：35 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-236-3
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.1 Ohms
漏極連續電流：3 A
閘/源擊穿電壓：+/- 8 V
汲極/源極擊穿電壓：12 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI2315BDS-T1-E3的詳細信息，包括SI2315BDS-T1-E3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：

UPA2826T1S-E2-AT

MCB130N10YA-TP

STK130N4LF7AG

IAUC120N04S6N013ATMA1