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SI2300DS-T1-GE3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
數(shù)量:
 6471  
說(shuō)明:
 MOSFET 30V 3.6A N-CH MOSFET
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SI2300DS-T1-GE3-TO-236-3,SC-59,SOT-23-3圖片

SI2300DS-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

零件號(hào)別名:SI2300DS-GE3
功率耗散:1.7 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:6.5 nC
正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值) :13 S
包裝形式:Reel
封裝形式:TO-236
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.055 Ohms
漏極連續(xù)電流:3.6 A
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
制造商:Vishay

以上是SI2300DS-T1-GE3的詳細(xì)信息,包括SI2300DS-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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