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SI1302DL-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: SC-70，SOT-323
數量：: 26898
說明：: MOSFET N-CH D-S 30V SC-70-3

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SI1302DL-T1-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下：

FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點：邏輯電平門
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：480 毫歐 @ 600mA, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)：30V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C：600mA
Id 時的 Vgs(th)（最大）：3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs：1.4nC @ 10V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ：-
功率 - 最大：280mW
安裝類型：表面貼裝

以上是SI1302DL-T1-GE3的詳細信息，包括SI1302DL-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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