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SI1051X-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: SC-89（SOT-563F）
數(shù)量：: 180
說明：: MOSFET 8.0V 1.2A 0.236W 122 mohms @ 4.5V

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SI1051X-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：SI1051X-GE3
典型關閉延遲時間：52 ns
工廠包裝數(shù)量：3000
上升時間：36 ns
功率耗散：236 mW
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：36 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SC-89-6
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.198 Ohms
漏極連續(xù)電流：1.2 A
閘/源擊穿電壓：+/- 5 V
汲極/源極擊穿電壓：8 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI1051X-T1-GE3的詳細信息，包括SI1051X-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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