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SI1021R-T1-GE3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 SC-75,SOT-416
數(shù)量:
 64759  
說明:
 MOSFET 60V 190mA 250mW 700mohm @ 4.5V
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SI1021R-T1-GE3-SC-75,SOT-416圖片

SI1021R-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

零件號別名:SI1021R-GE3
商標名:TrenchFET
工廠包裝數(shù)量:3000
功率耗散:250 mW
最小工作溫度:- 55 C
包裝形式:Reel
封裝形式:SC-75A-3
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):8 Ohms
漏極連續(xù)電流:0.19 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:60 V
晶體管極性:P-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SI1021R-T1-GE3的詳細信息,包括SI1021R-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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