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SH8M51GZETB

廠家:
  Rohm Semiconductor
封裝:
 8-SOP
數量:
 12326  
說明:
 4V DRIVE NCH+PCH MOSFET. SH8M51
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SH8M51GZETB-8-SOP圖片

SH8M51GZETB PDF參數資料

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中文參數如下:

封裝封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
安裝類型:表面貼裝型
工作溫度:150°C(TJ)
功率 - 最大值:1.4W(Ta)
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):610pF @ 25V,1550pF @ 25V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):8.5nC @ 5V,12.5nC @ 5V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):170 毫歐 @ 3A,10V,290 毫歐 @ 2.5A,10V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):3A(Ta),2.5A(Ta)
漏源電壓(Vdss):100V
FET 功能:-
配置:N 和 P 溝道
技術:MOSFET(金屬氧化物)
產品狀態:不適用于新設計
包裝:-
系列:卷帶(TR),剪切帶(CT),Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌:Rohm Semiconductor

以上是SH8M51GZETB的詳細信息,包括SH8M51GZETB廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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