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SH8J31GZETB

廠家：: Rohm Semiconductor
封裝：: 8-SOP
數(shù)量：: 14569
說明：: 60V PCH+PCH MIDDLE POWER MOSFET

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SH8J31GZETB PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：
封裝封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率 - 最大值：2W
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：2500pF @ 10V
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：40nC @ 10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：3V @ 1mA
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：70 毫歐 @ 4.5A，10V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：4.5A
漏源電壓（Vdss）：60V
FET 功能：-
配置：2 個 P 溝道（雙）
技術(shù)：-
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Rohm Semiconductor

以上是SH8J31GZETB的詳細(xì)信息，包括SH8J31GZETB廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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