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SGH20N120RUFDTU

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 TO-3P-3
數(shù)量:
 5814  
說明:
 IGBT 晶體管
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SGH20N120RUFDTU-TO-3P-3圖片

SGH20N120RUFDTU PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下:

工廠包裝數(shù)量:30
安裝風格:Through Hole
最小工作溫度:- 55 C
集電極最大連續(xù)電流 Ic:32 A
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-3P-3
最大工作溫度:+ 150 C
功率耗散:230 W
柵極—射極漏泄電流:100 uA
在25 C的連續(xù)集電極電流:32 A
柵極/發(fā)射極最大電壓:+/- 25 V
集電極—射極飽和電壓:2.3 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1200 V
配置:Single
RoHS:是
產品種類:IGBT 晶體管
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是SGH20N120RUFDTU的詳細信息,包括SGH20N120RUFDTU廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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