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中文參數(shù)如下：
封裝工作溫度 - 結(jié)封裝：SMPD
封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 凸片）變型
安裝類型：表面貼裝型
不同?Vr、F 時(shí)電容：132pF @ 4V， 1MHz
不同 Vr 時(shí)電流 - 反向泄漏：10 μA @ 1200 V
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)：3.4 μs
速度：標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io）
不同 If 時(shí)電壓 - 正向 (Vf)：1.29 V @ 30 A
電流 - 平均整流 (Io)：30A
電壓 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1200 V
技術(shù)：標(biāo)準(zhǔn)
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：eSMP?
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division
以上是SE30DT12-M3/I的詳細(xì)信息，包括SE30DT12-M3/I廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!
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