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SCS308AHGC9

廠家：: Rohm Semiconductor
封裝：: TO-220ACP
數(shù)量：: 5913
說明：: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220ACP

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SCS308AHGC9 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝工作溫度 - 結(jié)封裝：TO-220ACP
封裝/外殼：TO-220-2
安裝類型：通孔
不同?Vr、F 時電容：400pF @ 1V，1MHz
不同 Vr 時電流 - 反向泄漏：40 μA @ 650 V
反向恢復(fù)時間 (trr)：0 ns
速度：無恢復(fù)時間 > 500mA（Io）
不同 If 時電壓 - 正向 (Vf)：1.5 V @ 8 A
電流 - 平均整流 (Io)：8A
電壓 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V
技術(shù)：SiC（Silicon Carbide）Schottky
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：管件
品牌：Rohm Semiconductor

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