色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 集成電路 - IC > 內存 > 電可擦除可編程只讀存儲器 > S80KS5123GABHI020

S80KS5123GABHI020

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: 24-FBGA（6x8）
數(shù)量：: 2950
說明：: IC PSRAM 512MBIT SPI/OCTL 24FBGA

一、本商品被瀏覽0次.

S80KS5123GABHI020 PDF參數(shù)資料

點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：
封裝：24-FBGA（6x8）
封裝/外殼：24-VBGA
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：-40°C ~ 85°C（TA）
電壓 - 供電：1.7V ~ 2V
訪問時間：35 ns
寫周期時間 - 字，頁：35ns
時鐘頻率：200 MHz
存儲器接口：SPI - 八 I/O
存儲器組織：64M x 8
存儲容量：512Mb
技術：PSRAM（偽 SRAM）
存儲器格式：PSRAM
存儲器類型：易失
產品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：托盤
品牌：Infineon Technologies

以上是S80KS5123GABHI020的詳細信息，包括S80KS5123GABHI020廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他內存產品：

NVRAM 閃存動態(tài)隨機存取存儲器可擦除可編程ROM F-RAM

電可擦除可編程只讀存儲器最新產品：

48L640-I/SN

48L256-I/SN

MX25L6433FXDQ-09G

MT41K512M16HA-107 IT:A

MT41K512M16HA-107:A

GD5F4GQ6RF9IGY

IS61WV1288EEBLL-8TLI

MT53D1024M32D4BD-046 WT:D