色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

<strike id="w8mio"></strike>

<input id="w8mio"><th id="w8mio"></th></input><pre id="w8mio"></pre>

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 集成電路 - IC > 內存 > 電可擦除可編程只讀存儲器 > S34ML01G200GHI003

S34ML01G200GHI003

廠家：: Cypress Semiconductor Corp
封裝：: 67-BGA（8x6.5）
數量：: 8856
說明：: IC FLASH 1GBIT PARALLEL 67BGA

一、本商品被瀏覽0次.

S34ML01G200GHI003 PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：
封裝：67-BGA（8x6.5）
封裝/外殼：67-VFBGA
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：-40°C ~ 85°C（TA）
電壓 - 供電：2.7V ~ 3.6V
訪問時間：-
寫周期時間 - 字，頁：25ns
時鐘頻率：-
存儲器接口：并聯
存儲器組織：128M x 8
存儲容量：1Gb
技術：閃存 - NAND
存儲器格式：閃存
存儲器類型：非易失
產品狀態：Digi-Key 停止提供
包裝：ML-2
系列：卷帶（TR）
品牌：Cypress Semiconductor Corp

以上是S34ML01G200GHI003的詳細信息，包括S34ML01G200GHI003廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他內存產品：

NVRAM 閃存動態隨機存取存儲器可擦除可編程ROM F-RAM

電可擦除可編程只讀存儲器最新產品：

48L256-I/SN

MX25L6433FXDQ-09G

MT41K512M16HA-107 IT:A

MT41K512M16HA-107:A

GD5F4GQ6RF9IGY

IS61WV1288EEBLL-8TLI

MT53D1024M32D4BD-046 WT:D

MT53D1024M32D4BD-046 WT:D TR