色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 集成電路 - IC > 內存 > 電可擦除可編程只讀存儲器 > S29GL512T10GHI020

S29GL512T10GHI020

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: 56-FBGA（9x7）
數量：: 8118
說明：: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 56FBGA

一、本商品被瀏覽0次.

S29GL512T10GHI020 PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：
封裝：56-FBGA（9x7）
封裝/外殼：56-VFBGA
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：-40°C ~ 85°C（TA）
電壓 - 供電：2.7V ~ 3.6V
訪問時間：100 ns
寫周期時間 - 字，頁：60ns
時鐘頻率：-
存儲器接口：并聯
存儲器組織：64M x 8
存儲容量：512Mb
技術：FLASH - NOR
存儲器格式：閃存
存儲器類型：非易失
產品狀態：停產
包裝：GL-T
系列：托盤
品牌：Infineon Technologies

以上是S29GL512T10GHI020的詳細信息，包括S29GL512T10GHI020廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他內存產品：

NVRAM 閃存動態隨機存取存儲器可擦除可編程ROM F-RAM

電可擦除可編程只讀存儲器最新產品：

SST26VF032B-104V/SM70SVAO