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S1FLJ-GS18

廠家:
  Vishay General Semiconductor - Diodes Division
封裝:
 DO-219AB(SMF)
數量:
 8523  
說明:
 DIODE GP 600V 700MA DO219AB
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S1FLJ-GS18-DO-219AB(SMF)圖片

S1FLJ-GS18 PDF參數資料

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中文參數如下:
封裝工作溫度 - 結封裝:DO-219AB(SMF)
封裝/外殼:DO-219AB
安裝類型:表面貼裝型
不同?Vr、F 時電容:4pF @ 4V,1MHz
不同 Vr 時電流 - 反向泄漏:10 μA @ 600 V
反向恢復時間 (trr):1.8 μs
速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io)
不同 If 時電壓 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A
電流 - 平均整流 (Io):700mA
電壓 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V
技術:標準
產品狀態:在售
包裝:-
系列:卷帶(TR)
品牌:Vishay General Semiconductor - Diodes Division

以上是S1FLJ-GS18的詳細信息,包括S1FLJ-GS18廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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