點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

功率耗散：20 W
包裝形式：Reel
封裝形式：TCPT-3
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
漏極連續電流：20 A
汲極/源極擊穿電壓：- 12 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：ROHM Semiconductor

以上是RZY200P01TL的詳細信息，包括RZY200P01TL廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管   兩極晶體管 - BJT    JFET   IGBT 晶體管   開關晶體管 - 偏壓電阻器  

MOSFET最新產品：

IPD055N08NF2SATMA1

NP90N04VUK-E1-AY

STL10N60M6

RS1E301GNTB1

BSC026N02KSGAUMA1

TPHR8504PL,L1Q

SPD30P06PGBTMA1

N0601N-ZK-E1-AY

STF12N60M2

NP90N06VLK-E1-AY