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RW1A020ZPT2R

廠家：: Rohm Semiconductor
封裝：: 6-WEMT
數(shù)量：: 4005
說明：: MOSFET P-CH 12V 2A WEMT6

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RW1A020ZPT2R PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

FET 型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點：邏輯電平門
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：105 毫歐 @ 2A, 4.5V
漏極至源極電壓(Vdss)：12V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：2A
Id 時的 Vgs(th)（最大）：1V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs：6.5nC @ 4.5V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ：770pF @ 6V
功率 - 最大：700mW
安裝類型：表面貼裝

以上是RW1A020ZPT2R的詳細信息，包括RW1A020ZPT2R廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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