RS1E300GNTB

廠家：: Rohm Semiconductor
封裝：: 8-HSOP
數(shù)量：: 4914
說明：: MOSFET N-CH 30V 30A 8-HSOP

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RS1E300GNTB PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：3W（Ta），33W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：2500 pF @ 15 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：39.8 nC @ 10 V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：2.2 毫歐 @ 30A，10V
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：30A（Ta），80A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：30 V
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：不適用于新設(shè)計(jì)
包裝：-
系列：卷帶（TR）
品牌：Rohm Semiconductor

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