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RR2LAM6STR

廠家：: Rohm Semiconductor
封裝：: PMDTM
數量：: 1701
說明：: DIODE GEN PURP 600V 2A PMDTM

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RR2LAM6STR PDF參數資料

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中文參數如下：
封裝工作溫度 - 結封裝：PMDTM
封裝/外殼：SOD-128
安裝類型：表面貼裝型
不同?Vr、F 時電容：-
不同 Vr 時電流 - 反向泄漏：10 μA @ 600 V
反向恢復時間 (trr)：-
速度：標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）
不同 If 時電壓 - 正向 (Vf)：1.1 V @ 2 A
電流 - 平均整流 (Io)：2A
電壓 - DC 反向 (Vr)（最大值）：600 V
技術：標準
產品狀態：不適用于新設計
包裝：-
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Rohm Semiconductor

以上是RR2LAM6STR的詳細信息，包括RR2LAM6STR廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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