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RP1H065SPTR

廠家：: Rohm Semiconductor
封裝：: MPT6
數量：: 3618
說明：: MOSFET P-CH 45V 6.5A MPT6

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RP1H065SPTR PDF參數資料

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中文參數如下：
：150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：2W（Ta）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：3200 pF @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：28 nC @ 5 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3V @ 1mA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：31 毫歐 @ 6.5A，10V
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4V，10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：6.5A（Ta）
漏源電壓（Vdss）：45 V
技術：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：P 通道
產品狀態(tài)：停產
包裝：-
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Rohm Semiconductor

以上是RP1H065SPTR的詳細信息，包括RP1H065SPTR廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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