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RP1E090RPTR

廠家:
  ROHM Semiconductor
封裝:
 MPT6
數(shù)量:
 8901  
說明:
 MOSFET Pch -30V -9A MOSFET
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RP1E090RPTR-MPT6圖片

RP1E090RPTR PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

功率耗散:2 W
包裝形式:Reel
封裝形式:MPT-6
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
電阻汲極/源極 RDS(導通):21 mOhms
漏極連續(xù)電流:9 A
汲極/源極擊穿電壓:- 30 V
晶體管極性:P-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:ROHM Semiconductor

以上是RP1E090RPTR的詳細信息,包括RP1E090RPTR廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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