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RN2116MFV,L3F

廠家:
  Toshiba Semiconductor and Storage
封裝:
 VESM
數(shù)量:
 18996  
說明:
 TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
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RN2116MFV,L3F-VESM圖片

RN2116MFV,L3F PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
供應(yīng)商器件:VESM
封裝/外殼:SOT-723
安裝類型:表面貼裝型
功率 - 最大值:150 mW
頻率 - 躍遷:-
電流 - 集電極截止(最大值):500nA
不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):300mV @ 500μA,5mA
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):50 @ 10mA,5V
電阻器 - 發(fā)射極 (R2):10 kOhms
電阻器 - 基極 (R1):4.7 kOhms
電壓 - 集射極擊穿(最大值):50 V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):100 mA
晶體管類型:PNP - 預(yù)偏壓
產(chǎn)品狀態(tài):在售
包裝:-
系列:卷帶(TR),剪切帶(CT),Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌:Toshiba Semiconductor and Storage

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