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RN2106MFV,L3XHF(CT

廠家：: Toshiba Semiconductor and Storage
封裝：: VESM
數(shù)量：: 10547
說明：: AUTO AEC-Q PNP Q1BSR=4.7K, Q1BER

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RN2106MFV,L3XHF(CT PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
供應(yīng)商器件：VESM
封裝/外殼：SOT-723
安裝類型：表面貼裝型
功率 - 最大值：150 mW
頻率 - 躍遷：250 MHz
電流 - 集電極截止（最大值）：500nA
不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：300mV @ 500μA，5mA
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：80 @ 10mA，5V
電阻器 - 發(fā)射極 (R2)：47 kOhms
電阻器 - 基極 (R1)：4.7 kOhms
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：50 V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：100 mA
晶體管類型：PNP - 預(yù)偏壓
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：Automotive, AEC-Q101
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

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