色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > 兩極晶體管 - BJT > RN2103MFV,L3F

RN2103MFV,L3F

廠家：: Toshiba Semiconductor and Storage
封裝：: VESM
數(shù)量：: 5319
說明：: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM

一、本商品被瀏覽0次.

RN2103MFV,L3F PDF參數(shù)資料

點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：
供應(yīng)商器件：VESM
封裝/外殼：SOT-723
安裝類型：表面貼裝型
功率 - 最大值：150 mW
頻率 - 躍遷：-
電流 - 集電極截止（最大值）：100nA（ICBO）
不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：300mV @ 500μA，5mA
不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：70 @ 10mA，5V
電阻器 - 發(fā)射極 (R2)：22 kOhms
電阻器 - 基極 (R1)：22 kOhms
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：50 V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：100 mA
晶體管類型：PNP - 預(yù)偏壓
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：卷帶（TR）
品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

以上是RN2103MFV,L3F的詳細(xì)信息，包括RN2103MFV,L3F廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管 JFET IGBT 晶體管開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

兩極晶體管 - BJT 最新產(chǎn)品：