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RN1710JE(TE85L,F)

廠家：: Toshiba Semiconductor and Storage
封裝：: ESV
數量：: 10384
說明：: NPN X 2 BRT Q1BSR=4.7KOHM Q1BER=

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RN1710JE(TE85L,F) PDF參數資料

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中文參數如下：
封裝封裝/外殼：表面貼裝型
功率 - 最大值：100mW
頻率 - 躍遷：250MHz
電流 - 集電極截止（最大值）：100nA（ICBO）
不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：300mV @ 250μA，5mA
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：120 @ 1mA，5V
電阻器 - 發(fā)射極 (R2)：-
電阻器 - 基極 (R1)：4.7 千歐
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：50V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：100mA
晶體管類型：2 NPN - 預偏壓（雙）（耦合發(fā)射器）
產品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

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