色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > 兩極晶體管 - BJT > RN1314,LF

RN1314,LF

廠家：: Toshiba Semiconductor and Storage
封裝：: USM
數(shù)量：: 4455
說明：: PB-F USM TRANSISTOR PD 100MW F 2

一、本商品被瀏覽0次.

RN1314,LF PDF參數(shù)資料

點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：
供應(yīng)商器件：USM
封裝/外殼：SC-70，SOT-323
安裝類型：表面貼裝型
功率 - 最大值：100 mW
頻率 - 躍遷：250 MHz
電流 - 集電極截止（最大值）：500nA
不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：300mV @ 250μA，5mA
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：50 @ 10mA，5V
電阻器 - 發(fā)射極 (R2)：10 kOhms
電阻器 - 基極 (R1)：1 kOhms
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：50 V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：100 mA
晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：Automotive, AEC-Q101
系列：卷帶（TR）
品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

以上是RN1314,LF的詳細(xì)信息，包括RN1314,LF廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管 JFET IGBT 晶體管開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

兩極晶體管 - BJT 最新產(chǎn)品：