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RN1117MFV,L3F

廠家:
  Toshiba Semiconductor and Storage
封裝:
 VESM
數量:
 4221  
說明:
 TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
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RN1117MFV,L3F-VESM圖片

RN1117MFV,L3F PDF參數資料

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中文參數如下:
供應商器件:VESM
封裝/外殼:SOT-723
安裝類型:表面貼裝型
功率 - 最大值:150 mW
頻率 - 躍遷:250 MHz
電流 - 集電極截止(最大值):500nA
不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):300mV @ 500μA,5mA
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):30 @ 10mA,5V
電阻器 - 發射極 (R2):4.7 kOhms
電阻器 - 基極 (R1):10 kOhms
電壓 - 集射極擊穿(最大值):50 V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):100 mA
晶體管類型:NPN - 預偏壓
產品狀態:在售
包裝:-
系列:卷帶(TR)
品牌:Toshiba Semiconductor and Storage

以上是RN1117MFV,L3F的詳細信息,包括RN1117MFV,L3F廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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