色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁(yè) > 電子元件分類(lèi) > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > 兩極晶體管 - BJT > RN1105MFV,L3XHF(CT

RN1105MFV,L3XHF(CT

廠家：: Toshiba Semiconductor and Storage
封裝：: VESM
數(shù)量：: 10574
說(shuō)明：: AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=2.2K, Q1BER

一、本商品被瀏覽0次.

RN1105MFV,L3XHF(CT PDF參數(shù)資料

點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：
供應(yīng)商器件：VESM
封裝/外殼：SOT-723
安裝類(lèi)型：表面貼裝型
功率 - 最大值：150 mW
頻率 - 躍遷：-
電流 - 集電極截止（最大值）：500nA
不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：300mV @ 500μA，5mA
不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：80 @ 10mA，5V
電阻器 - 發(fā)射極 (R2)：47 kOhms
電阻器 - 基極 (R1)：2.2 kOhms
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：50 V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：100 mA
晶體管類(lèi)型：NPN - 預(yù)偏壓
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：Automotive, AEC-Q101
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

以上是RN1105MFV,L3XHF(CT的詳細(xì)信息，包括RN1105MFV,L3XHF(CT廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管 JFET IGBT 晶體管開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

兩極晶體管 - BJT 最新產(chǎn)品：