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RN1103MFV,L3F(CT

廠家:
  Toshiba Semiconductor and Storage
封裝:
 VESM
數(shù)量:
 3780  
說明:
 TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
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RN1103MFV,L3F(CT-VESM圖片

RN1103MFV,L3F(CT PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
供應(yīng)商器件:VESM
封裝/外殼:SOT-723
安裝類型:表面貼裝型
功率 - 最大值:150 mW
頻率 - 躍遷:-
電流 - 集電極截止(最大值):500nA
不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):300mV @ 500μA,5mA
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):70 @ 10mA,5V
電阻器 - 發(fā)射極 (R2):22 kOhms
電阻器 - 基極 (R1):22 kOhms
電壓 - 集射極擊穿(最大值):50 V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):100 mA
晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓
產(chǎn)品狀態(tài):在售
包裝:-
系列:卷帶(TR),剪切帶(CT),Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌:Toshiba Semiconductor and Storage

以上是RN1103MFV,L3F(CT的詳細(xì)信息,包括RN1103MFV,L3F(CT廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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