色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > 兩極晶體管 - BJT > RN1101MFV,L3XHF(CT

RN1101MFV,L3XHF(CT

廠家：: Toshiba Semiconductor and Storage
封裝：: VESM
數量：: 18538
說明：: AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=4.7K, Q1BER

一、本商品被瀏覽0次.

RN1101MFV,L3XHF(CT PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：
供應商器件：VESM
封裝/外殼：SOT-723
安裝類型：表面貼裝型
功率 - 最大值：150 mW
頻率 - 躍遷：-
電流 - 集電極截止（最大值）：500nA
不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：300mV @ 500μA，5mA
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：30 @ 10mA，5V
電阻器 - 發射極 (R2)：4.7 kOhms
電阻器 - 基極 (R1)：4.7 kOhms
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：50 V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：100 mA
晶體管類型：NPN - 預偏壓
產品狀態：在售
包裝：Automotive, AEC-Q101
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

以上是RN1101MFV,L3XHF(CT的詳細信息，包括RN1101MFV,L3XHF(CT廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管 JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

兩極晶體管 - BJT 最新產品：