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RJK2055DPA-00#J0

廠家:
  Renesas Electronics America Inc
封裝:
 8-PowerWDFN
數量:
 7785  
說明:
 MOSFET N-CH 200V W-PAK
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RJK2055DPA-00#J0-8-PowerWDFN圖片

RJK2055DPA-00#J0 PDF參數資料

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中文參數如下:
FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點:標準型
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:69 毫歐 @ 10A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss):200V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:20A
Id 時的 Vgs(th)(最大):4.5V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs:38nC @ 10V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) :2400pF @ 25V
功率 - 最大:30W
安裝類型:*

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