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RGTVX2TS65DGC11

廠家:
  Rohm Semiconductor
封裝:
 TO-247N
數(shù)量:
 8627  
說明:
 IGBT TRENCH FLD 650V 111A TO247N
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RGTVX2TS65DGC11-TO-247N圖片

RGTVX2TS65DGC11 PDF參數(shù)資料

PDF點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下:
封裝封裝/外殼:TO-247-3
安裝類型:通孔
工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ)
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr):-
測(cè)試條件:400V,60A,10 歐姆,15V
25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:49ns/150ns
柵極電荷:123 nC
輸入類型:標(biāo)準(zhǔn)
開關(guān)能量:2.08mJ(開),1.15mJ(關(guān))
功率 - 最大值:319 W
不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,60A
電流 - 集電極脈沖 (Icm):240 A
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):111 A
電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V
IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止
產(chǎn)品狀態(tài):不適用于新設(shè)計(jì)
包裝:-
系列:管件
品牌:Rohm Semiconductor

以上是RGTVX2TS65DGC11的詳細(xì)信息,包括RGTVX2TS65DGC11廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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