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RGTH00TS65DGC11

廠家：: Rohm Semiconductor
封裝：: TO-247N
數量：: 820
說明：: IGBT TRNCH FIELD 650V 85A TO247N

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RGTH00TS65DGC11 PDF參數資料

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中文參數如下：
封裝封裝/外殼：TO-247-3
安裝類型：通孔
工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）
反向恢復時間 (trr)：54 ns
測試條件：400V，50A，10 歐姆，15V
25°C 時 Td（開/關）值：39ns/143ns
柵極電荷：94 nC
輸入類型：標準
開關能量：-
功率 - 最大值：277 W
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，50A
電流 - 集電極脈沖 (Icm)：200 A
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：85 A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：650 V
IGBT 類型：溝槽型場截止
產品狀態：不適用于新設計
包裝：-
系列：管件
品牌：Rohm Semiconductor

以上是RGTH00TS65DGC11的詳細信息，包括RGTH00TS65DGC11廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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