色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > IGBT 晶體管 > RGSX5TS65EHRC11

RGSX5TS65EHRC11

廠家：: Rohm Semiconductor
封裝：: TO-247N
數量：: 8928
說明：: IGBT TRENCH FLD 650V 114A TO247N

一、本商品被瀏覽0次.

RGSX5TS65EHRC11 PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：
封裝封裝/外殼：TO-247-3
安裝類型：通孔
工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）
反向恢復時間 (trr)：116 ns
測試條件：400V，75A，10 歐姆，15V
25°C 時 Td（開/關）值：43ns/113ns
柵極電荷：79 nC
輸入類型：標準
開關能量：3.44mJ（開），1.9mJ（關）
功率 - 最大值：404 W
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：2.15V @ 15V，75A
電流 - 集電極脈沖 (Icm)：225 A
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：114 A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：650 V
IGBT 類型：溝槽型場截止
產品狀態：不適用于新設計
包裝：-
系列：管件
品牌：Rohm Semiconductor

以上是RGSX5TS65EHRC11的詳細信息，包括RGSX5TS65EHRC11廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET 開關晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

IGBT 晶體管最新產品：