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RGS60TS65DHRC11

廠家:
  Rohm Semiconductor
封裝:
 TO-247N
數量:
 279  
說明:
 IGBT TRNCH FIELD 650V 56A TO247N
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RGS60TS65DHRC11-TO-247N圖片

RGS60TS65DHRC11 PDF參數資料

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中文參數如下:
封裝封裝/外殼:TO-247-3
安裝類型:通孔
工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ)
反向恢復時間 (trr):103 ns
測試條件:400V,30A,10 歐姆,15V
25°C 時 Td(開/關)值:28ns/104ns
柵極電荷:36 nC
輸入類型:標準
開關能量:660μJ(開),810μJ(關)
功率 - 最大值:223 W
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,30A
電流 - 集電極脈沖 (Icm):90 A
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):56 A
電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V
IGBT 類型:溝槽型場截止
產品狀態:不適用于新設計
包裝:-
系列:管件
品牌:Rohm Semiconductor

以上是RGS60TS65DHRC11的詳細信息,包括RGS60TS65DHRC11廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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