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RFS30TZ6SGC13

廠家：: Rohm Semiconductor
封裝：: TO-247GE
數量：: 2502
說明：: DIODE GEN PURP 650V 30A TO247GE

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RFS30TZ6SGC13 PDF參數資料

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中文參數如下：
封裝工作溫度 - 結封裝：TO-247GE
封裝/外殼：TO-247-2
安裝類型：通孔
不同?Vr、F 時電容：-
不同 Vr 時電流 - 反向泄漏：5 μA @ 650 V
反向恢復時間 (trr)：35 ns
速度：快速恢復 = 200mA（Io）
不同 If 時電壓 - 正向 (Vf)：2.3 V @ 30 A
電流 - 平均整流 (Io)：30A
電壓 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V
技術：標準
產品狀態：在售
包裝：-
系列：管件
品牌：Rohm Semiconductor

以上是RFS30TZ6SGC13的詳細信息，包括RFS30TZ6SGC13廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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