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RF1S640SM

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 TO-263AB
數量:
 1296  
說明:
 MOSFET N-Ch Power MOSFET 200V/18a/0.180 Ohm
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RF1S640SM-TO-263AB圖片

RF1S640SM PDF參數資料

中文參數如下:

典型關閉延遲時間:46 ns
上升時間:50 ns
功率耗散:125 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:35 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-263AB
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.18 Ohms
漏極連續電流:18 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:200 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:否
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是RF1S640SM的詳細信息,包括RF1S640SM廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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