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RDD020N60TL

廠家：: Rohm Semiconductor
封裝：: TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
數量：: 6507
說明：: MOSFET N-CH 600V 2A CPT3

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RDD020N60TL-TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63圖片

RDD020N60TL PDF參數資料

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中文參數如下：
FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點：標準型
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：-
漏極至源極電壓(Vdss)：600V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C：2A
Id 時的 Vgs(th)（最大）：-
閘電荷(Qg) @ Vgs：-
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ：-
功率 - 最大：20W
安裝類型：表面貼裝

以上是RDD020N60TL的詳細信息，包括RDD020N60TL廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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