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RCD075N19TL

廠家:
  Rohm Semiconductor
封裝:
 CPT3
數量:
 8020  
說明:
 MOSFET N-CH 190V 7.5A CPT3
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RCD075N19TL-CPT3圖片

RCD075N19TL PDF參數資料

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中文參數如下:
:150°C(TJ)
功率耗散(最大值):850mW(Ta),20W(Tc)
FET 功能:-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):1100 pF @ 25 V
Vgs(最大值):±30V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):30 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):336 毫歐 @ 3.8A,10V
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4V,10V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):7.5A(Tc)
漏源電壓(Vdss):190 V
技術:MOSFET(金屬氧化物)
FET 類型:N 通道
產品狀態:不適用于新設計
包裝:-
系列:卷帶(TR),剪切帶(CT),Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌:Rohm Semiconductor

以上是RCD075N19TL的詳細信息,包括RCD075N19TL廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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