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RBLQ3LAM10TR

廠家：: Rohm Semiconductor
封裝：: PMDTM
數(shù)量：: 2259
說(shuō)明：: TRENCH MOS STRUCTURE, 100V, 3A,

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RBLQ3LAM10TR PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝工作溫度 - 結(jié)封裝：PMDTM
封裝/外殼：SOD-128
安裝類型：表面貼裝型
不同?Vr、F 時(shí)電容：140pF @ 4V，1MHz
不同 Vr 時(shí)電流 - 反向泄漏：30 μA @ 100 V
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)：-
速度：快速恢復(fù) = 200mA（Io）
不同 If 時(shí)電壓 - 正向 (Vf)：640 mV @ 3 A
電流 - 平均整流 (Io)：3A
電壓 - DC 反向 (Vr)（最大值）：100 V
技術(shù)：肖特基
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Rohm Semiconductor

以上是RBLQ3LAM10TR的詳細(xì)信息，包括RBLQ3LAM10TR廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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