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R6006ANX

廠家：
  ROHM Semiconductor
封裝：
 TO-220FM
數量：
 8505  
說明：
 MOSFET 10V DRIVE NCH MOSFET
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R6006ANX-TO-220FM圖片

R6006ANX PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：50 ns
上升時間：18 ns
功率耗散：40 W
柵極電荷 Qg：15 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值） ：1.7 S
下降時間：35 ns
包裝形式：Bulk
封裝形式：TO-220
安裝風格：Through Hole
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：1.2 Ohms
漏極連續電流：6 A
閘/源擊穿電壓：30 V
汲極/源極擊穿電壓：600 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：ROHM Semiconductor

以上是R6006ANX的詳細信息，包括R6006ANX廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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