色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 無源元件 > 電容器 > 薄膜電容器 > R49AI322000B2M

R49AI322000B2M

廠家：: KEMET
封裝：: 徑向
數量：: 6820
說明：: CAP FILM 0.22UF 20% 800VDC RAD

一、本商品被瀏覽0次.

R49AI322000B2M PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：
特性：-
等級：X1
應用：EMI，RFI 抑制
引線間距：0.630（16.00mm）
端接：PC 引腳
高度 - 安裝（最大值）：0.630（16.00mm）
大小 / 尺寸：0.709 長 x 0.394 寬（18.00mm x 10.00mm）
封裝/外殼：徑向
安裝類型：通孔
工作溫度：-40°C ~ 110°C
ESR（等效串聯電阻）：-
介電材料：聚丙烯（PP），金屬化
額定電壓 - DC：800V
額定電壓 - AC：310V
容差：±20%
電容：0.22 μF
產品狀態：在售
包裝：R49
系列：散裝
品牌：KEMET

以上是R49AI322000B2M的詳細信息，包括R49AI322000B2M廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他電容器產品：

云母電容器硅電容器陶瓷電容器鉭電容器超級電容/超級電容器

薄膜電容器最新產品：