色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 集成電路 - IC > 內存 > 電可擦除可編程只讀存儲器 > R1EV5801MBTDRDI#B0

R1EV5801MBTDRDI#B0

廠家：: Renesas Electronics America Inc
封裝：: 32-TSOP I
數量：: 3456
說明：: IC EEPROM 1MBIT PAR 32TSOP I

一、本商品被瀏覽0次.

R1EV5801MBTDRDI#B0 PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：
封裝：32-TSOP I
封裝/外殼：32-TFSOP（0.488"，12.40mm 寬）
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：-40°C ~ 85°C（TA）
電壓 - 供電：2.7V ~ 5.5V
訪問時間：150 ns
寫周期時間 - 字，頁：10ms
時鐘頻率：-
存儲器接口：并聯
存儲器組織：128K x 8
存儲容量：1Mb
技術：EEPROM
存儲器格式：EEPROM
存儲器類型：非易失
產品狀態：停產
包裝：R1EV5801MB
系列：托盤
品牌：Renesas Electronics America Inc

以上是R1EV5801MBTDRDI#B0的詳細信息，包括R1EV5801MBTDRDI#B0廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他內存產品：

NVRAM 閃存動態隨機存取存儲器可擦除可編程ROM F-RAM

電可擦除可編程只讀存儲器最新產品：