中文參數(shù)如下:
波長:940 nm
槽寬:5 mm
感應(yīng)方式:Transmissive, Slotted
上升時間:4 us
功率耗散:150 mW
包裝形式:Tube
輸出設(shè)備:Phototransistor
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 100 C
最大集電極電流:20 mA
正向電流:60 mA
下降時間:4 us
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:30 V
光圈寬度:0.5 mm
RoHS:否
制造商:Fairchild Semiconductor
以上是QVE00118_Q的詳細(xì)信息,包括QVE00118_Q廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!