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QSZ4TR

廠家:
  ROHM Semiconductor
封裝:
 TSMT5
數量:
 8181  
說明:
 兩極晶體管 - BJT ISO TRANSISTORDIODE GEN PURP
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QSZ4TR-TSMT5圖片

QSZ4TR PDF參數資料

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中文參數如下:
認證機構:
封裝封裝/外殼:SOT-23-5 細型,TSOT-23-5
安裝類型:表面貼裝型
工作溫度:150°C(TJ)
頻率 - 躍遷:280MHz
功率 - 最大值:500mW
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):270 @ 200mA,2V
電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO)
不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):370mV @ 75mA,1.5A
電壓 - 集射極擊穿(最大值):30V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):2A
晶體管類型:NPN,PNP(耦合發射器)
產品狀態:在售
包裝:-
系列:卷帶(TR),剪切帶(CT),Digi-Reel 得捷定制卷帶
品牌:Rohm Semiconductor

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