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QST8TR

廠家：: ROHM Semiconductor
封裝：: TSMT-6
數(shù)量：: 2286
說明：: 兩極晶體管 - BJT BIPOLAR PNP Vce -12v -1.5A

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QST8TR PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：3000
包裝形式：Reel
最大功率耗散：1250 mW
直流電流增益 hFE 最大值：270 at 200 mA at 2 V
集電極連續(xù)電流：- 1.5 A
封裝形式：TSMT-6
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：270 at 200 mA at 2 V
增益帶寬產(chǎn)品fT：400 MHz
最大直流電集電極電流：1.5 A
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO：6 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：12 V
集電極—基極電壓 VCBO：- 12 V
晶體管極性：PNP
配置：Dual
RoHS：是
產(chǎn)品種類：兩極晶體管 - BJT
制造商：ROHM Semiconductor

以上是QST8TR的詳細(xì)信息，包括QST8TR廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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