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QS8M51TR

廠家：: Rohm Semiconductor
封裝：: TSMT8
數(shù)量：: 43076
說明：: MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A TSMT8

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QS8M51TR PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：
封裝封裝/外殼：8-SMD，扁平引線
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：150°C（TJ）
功率 - 最大值：1.5W
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：290pF @ 25V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：4.7nC @ 5V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：325 毫歐 @ 2A，10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：2A，1.5A
漏源電壓（Vdss）：100V
FET 功能：邏輯電平門
配置：N 和 P 溝道
技術：MOSFET（金屬氧化物）
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Rohm Semiconductor

以上是QS8M51TR的詳細信息，包括QS8M51TR廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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