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QS8M12TCR

廠家：: Rohm Semiconductor
封裝：: TSMT8
數量：: 5958
說明：: MOSFET N/P-CH 30V 4A TSMT8

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QS8M12TCR PDF參數資料

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中文參數如下：
：
封裝封裝/外殼：8-SMD，扁平引線
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：150°C（TJ）
功率 - 最大值：1.5W
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：250pF @ 10V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：3.4nC @ 5V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：42 毫歐 @ 4A，10V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：4A
漏源電壓（Vdss）：30V
FET 功能：邏輯電平門
配置：N 和 P 溝道
技術：MOSFET（金屬氧化物）
產品狀態：不適用于新設計
包裝：-
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Rohm Semiconductor

以上是QS8M12TCR的詳細信息，包括QS8M12TCR廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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