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QS8J2TR

廠家：: Rohm Semiconductor
封裝：: TSMT8
數量：: 7518
說明：: MOSFET 2P-CH 12V 4A TSMT8

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QS8J2TR PDF參數資料

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中文參數如下：
：
封裝封裝/外殼：8-SMD，扁平引線
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：150°C（TJ）
功率 - 最大值：550mW
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1940pF @ 6V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：20nC @ 4.5V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：1V @ 1mA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：36 毫歐 @ 4A，4.5V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：4A
漏源電壓（Vdss）：12V
FET 功能：邏輯電平柵極，1.5V 驅動
配置：2 個 P 溝道（雙）
技術：MOSFET（金屬氧化物）
產品狀態：在售
包裝：-
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Rohm Semiconductor

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