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中文參數如下：
典型關閉延遲時間：15 ns at N Channel, 45 ns at P Channel
工廠包裝數量：3000
上升時間：18 ns at N Channel, 12 ns at P Channel
功率耗散：1.25 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：18 ns at N Channel, 12 ns at P Channel
包裝形式：Reel
封裝形式：TSMT-6
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.26 Ohms
漏極連續電流：1.5 A
閘/源擊穿電壓：+/- 12 V
汲極/源極擊穿電壓：+ 30 V, - 20 V
晶體管極性：N and P-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：ROHM Semiconductor
以上是QS6M4TR的詳細信息，包括QS6M4TR廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!
