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PUMT1,115

廠家:
  NXP Semiconductors
封裝:
 SOT-363
數量:
 12247  
說明:
 兩極晶體管 - BJT DUAL PNP 40V 100mA
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PUMT1,115-SOT-363圖片

PUMT1,115 PDF參數資料

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中文參數如下:

零件號別名:PUMT1 T/R
工廠包裝數量:3000
包裝形式:Reel
最小工作溫度:- 65 C
最大功率耗散:200 mW
直流電流增益 hFE 最大值:120 at 1 mA at 6 V
封裝形式:SOT-363
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min:120 at 1 mA at 6 V
增益帶寬產品fT:100 MHz
最大直流電集電極電流:0.1 A
發射極 - 基極電壓 VEBO:5 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO:40 V
集電極—基極電壓 VCBO:50 V
晶體管極性:PNP
配置:Dual
RoHS:是
產品種類:兩極晶體管 - BJT
制造商:NXP

以上是PUMT1,115的詳細信息,包括PUMT1,115廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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